北京市加强应急物资保障体系建设
2022-01-10
导读
NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。
NMOS晶体管工作在线性区时的漏源电流表达式为式（1），在该工作区下阻性沟道直接连接漏源两端，沟道中任意位置氧化层两端的电压只要超过阈值电压，就能产生这种阻性连接。
【资料图】
（1）
任意位置氧化层两端的电压在为漏端的电压最小，即
（2）
因此，VGS- VDS > VTH时，就能产生阻性连接。
对式（1）进行移项并整理，可得
（3）
故导通电阻的表达式为
（4）
或者
（5）
式（4）和式（5）即是NMOS晶体管工作在线性区时的导通电阻。
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